低压SGT MOS元胞设计与仿真.docx

功率MOSFET的技术一直都在不断的发展。本文提出了一种改进的沟道MOSFET结构，并对其进行了分析和仿真。结果表明，该器件外延层的电流分布较均匀，且结构比传统的MOSFET结构具有更低...

分类：科技学院 - 字数：8971

用MOS管调控风扇转速电路设计与实现.docx

目前，国内外对控制电机变速技术的研究日益增加，电机调速控制技术也获得了长足的发展向着更加成熟更加智能化的方向发展。实现风扇转速可变的方法多种多样，不管是利用可变电...

分类：科技学院 - 字数：13296

本征半导体是一种完全纯净、结构完整的半导体晶体。在没有外界能量的影响下，价电子会因为共价键的约束从而导致晶体内不含自由移动的电子，此时半导体是不导电的。但是当外界...

分类：科技学院 - 字数：12818

本课题主要研究的内容是Trench MOS器件的设计与研究，Trench MOS在很多地方都比其他MOS管拥有更出众的能力，主要是因为它输入阻抗高, 驱动功率低，易与前级耦合，除了这些，它还没有二...

分类：工业大学 - 字数：10281

对于GaN材料至今仍然有待解决的问题就是氮化镓衬底单晶和异质外延缺陷密度非常高，但是器件已经达到可以实用化的水平．GaN材料在LED技术里的应用也已经达到了十分成熟的技术水平...

分类：SCI论文 - 字数：13834

GaN晶体具有三种结构：六角纤锌矿2H型结构(α相)、立方闪锌矿3C型结构(β相)和岩盐矿结构[1]．纤锌矿型结构具有六方对称性，在常温常压下热力学性质很稳定，是GaN中常见的结晶形式，...

分类：科技学院 - 字数：14347

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