低压SGT MOS元胞设计与仿真.docx

功率MOSFET的技术一直都在不断的发展。本文提出了一种改进的沟道MOSFET结构，并对其进行了分析和仿真。结果表明，该器件外延层的电流分布较均匀，且结构比传统的MOSFET结构具有更低...

分类：科技学院 - 字数：8971

VDMOS元胞设计与模拟仿真.docx

在器件的设计中，VDMOS具有高输入阻抗、低驱动功率、高开关速度、优越的频率性、优良的热稳定性、宽安全工作区等特点，因而被广泛运用在通讯、航空航天、电脑操控、家用电器等方...

分类：工业大学 - 字数：9189

本文在传统的SIR模型基础上，又添加了符合客观规律的两个新状态，分别为潜伏状态和死亡状态。由此，根据元胞自动机的原理，构造了一个更加复杂科学合理的传染病模型，并制定了...

分类：本科论文 - 字数：19304

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