于AFORS-HET软件研究ZnO性质对HIT太阳能电池的影响_微电子.rar

摘要:随着光伏产业的发展，硅材料的短缺问题凸显，开发低成本、高效率、高稳定性太阳电池成为主要的研究方向。非晶硅/单晶硅异质结电池由于具有工艺温度低、转换效率高和温度系数低等优点而备受关注。本文开展了 HIT(Hetero-junction with Intrinsic Thin Layer)电池的相关研究。运用AFORS-HET软件模拟仿真了i/P界面缺陷、TCO功函数、本征层等因素对HIT太阳能电池性能的影响，着重研究了透明导电薄膜ZnO性质对太阳能性能的影响。本文采用的太阳能电池物理模型结构为：TCO/n-a-Si:H/i-a-Si:H/P-c-Si及TCO/n-a-Si:H/i-a-Si:H/P-c-Si/ i-a-Si:H/p-a-Si:H。结果表明随着Dit的增加Voc（开路电压）急剧的变小，同时Dit的升高导致了Jsc和FF轻微的减小。而Voc和FF随WTCO的升高显著的下降，当WTCO超过4.4电子伏特将大大影响太阳能电池的性能。对本征层来说，正面本征层的带隙宽度并不能有效地影响性能参数Voc, Jsc, FF和。与之相反，反面本征层加宽的带隙显著影响传输过程，Jsc, FF和与反面本征层的Eg密切相关。

关键词：HIT太阳能电池；AFORS-HET；TCO；转换效率

目录

摘要

ABSTRACT

第1章 绪论-1

1.1 太阳能电池的发展背景-1

1.2 HIT电池发展及研究现状-1

1.3 HIT太阳能电池的特点-3

1.4 课题主要研究工作-4

第2章 HIT太阳能电池的结构及基本理论-5

2.1 HIT太阳能电池的结构-5

2.2 HIT 电池的基本表征参量-5

2.3 影响HIT电池效率的因素-7

第3章AFORS-HET软件-9

3.1软件介绍-9

3.2物理模型-10

第4章AFORS-HET模拟仿真的分析与讨论-11

4.1 TCO的选择及其对电池性能的影响-11

4.2 i/ P界面缺陷的影响-12

4.3 TCO功函数的影响-13

4.4 本征层带隙宽度的影响-15

第5章 结论与展望-19

5.1结论-19

5.2展望-19

参考文献-20

致  谢-21