【摘要】在n型硅基生长由p型氧化锌 /(Cd0.12Zn0.88O / 氧化锌)多量子阱/ n型氧化锌组成的蓝色多量子阱发光二极管。X射线衍射测试显示薄膜在垂直于基材的c轴方向上择优生长。光致发光研究表明440纳米的蓝色发射来自氧化镉锌和384纳米紫外发射来自氧化锌薄膜。LED在室温下显示具有4.69V的开启电压的整流特性。室温电致发光以442nm的峰为主,并伴随着紫外区与氧化锌层有关的380nm的发光峰。发现随着注入电流的增加,电致发光中蓝光发射强度增加,紫外发射强度减弱,因此提高了来自于量子阱的辐射复合。结果表明氧化锌基多量子阱蓝光LED的有着很好的应用前景。
【关键词】氧化锌;锌镉氧;发光二极管
目录
摘要
Abstract
1引 言-1
2 制备方法和测试手段介绍-2
2.1 射频磁控溅射原理-2
2.2 射频磁控溅射实验系统-3
2.3 设备的操作-4
2.4 薄膜性能测量方法-7
2.4.1四探针测试仪-7
2.4.2导电类型鉴定仪-9
3 实验-10
3.1 样品制备-10
3.2 样品测试与表征-10
3.2.1表面形态-10
3.2.2结构表征-11
3.2.3光学性能-14
3.2.4氧化锌/锌镉氧/氧化锌发光二极管的电致发光特性-16
结 论-18
参考文献-19