磁场中带电粒子的量子隧穿效应.docx

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  • 更新时间:2021-02-20
  • 论文字数:6081
  • 课题出处:(布加加)提供原创资料
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摘要:具有一定能量E的电子(E<V0)沿x轴正方向射向势垒,按照经典理论,在E<V0情况下,电子被反射的概率为1,而在E>V0情况下,粒子穿过势垒的概率为1。然而按量子力学原理,对于能量低于势垒的粒子,其穿过势垒的概率不为0,它与势垒的高度,也与势垒和粒子的能量差有关。这种现象被称为量子隧穿效应。此外,由于电子有自旋磁矩,在磁场中有一自旋能,它将影响电子的穿透几率,当自旋朝上,其穿透几率T↓随磁场B的增大而增大,当自旋朝下,其穿透几率T↑随磁场B的增大而减小。

 

关键词:磁场;电子;自旋;势垒;隧穿效应

 

目录

摘要

Abstract

1前  言-4

2 磁场中带电粒子的量子隧穿效应-7

2.1隧穿效应-7

2.2在磁场中的电子隧穿效应-8

2.3数值计算-12

3 结  论-13

参考文献-13

致    谢-14


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