浅谈忆阻器的发展.doc

摘要：随着科技的发展越来越多的未知被发现，越来越多的理论被表明。可以说中国自古以来便崇尚着对称美，不管在什么情况下总能找到与之对称的。就好像门捷列夫在探索元素周期表时，一开始的研究他总是觉得缺少某些元素，在之后的研究中也确实发现了缺失的元素。其实我们会发现通过数学表达式也会出现缺少某样东西的感觉，这就引起了科学家蔡少棠的兴趣。1971他发现了忆阻器的存在，并且提出一些有关忆阻器的现象。直到2008年该理论因惠普实验室研究小组采用纳米技术实现了具有记忆特性的电阻而被证实。本文将通过忆阻器的特性和一些对忆阻器特性的影响参数来介绍一些基于忆阻器的一些简单应用，以及忆阻器在未来的发展前景。

关键词：忆阻器，特性，影响，发展前景

目录

摘要

Abstract

1  前言-5

2  某些参数对忆阻器特性的影响-5

2.1  温度改变对钛氧化物忆阻器导电特性的影响-5

2.2  横截面积参数对钛氧化物忆阻器导电性的影响-5

 3  基于忆阻器的一些简单应用-6

3.1  基于忆电阻的混沌电路-7

3.1.1  荷控、磁控忆阻器的研发-7

3.1.2  基于荷控和磁控忆阻器的混沌电路-8

3.2  忆电阻在计算机科学中的应用-8

3.3  忆电阻在通信工程中的应用-9

3.4  忆电阻在神经网络中的应用-9

3.4.1  基于忆阻器混沌电路的改进型细胞神经网络-9

3.4.2  基于忆阻器的spiking神经网络-10

4  忆阻器的发展前景-11

4.1  忆电阻与晶体管的区别-11

4.2  即开型PC将成为可能-11

5  结论-13

参考文献

致谢