Fe掺杂ZnO的光学特性研究.doc

ZnO是一种禁带为3.37eV，位于第II-VI族的宽禁带直接带隙半导体材料。ZnO通过SM显微镜观察其晶体结构，一般显示为六角纤锌矿结构，在室温下，在纤锌矿结构晶体中，ZnO的晶格常数a=3024...

分类：科技学院 - 字数：7909

溶胶凝胶法制备Cu掺杂ZnO薄膜的光学特性.docx

氧化锌晶体有三种结构：六方纤锌矿结构、立方闪锌矿结构，以及四方岩盐矿型。如图1.1所示。纤锌矿在三者中结构最稳定，因此最常见。立方闪锌矿结构生成的方式一般是采用逐渐在...

分类：工业大学 - 字数：7588

在降解部分生物难以降解的有毒的有机污染物方面，ZnO比TiO2表现出更高的量子产率和光催化活性，这是因为：①ZnO的禁带宽度是3.37eV，比TiO2（3.2eV）大，氧化还原的能力更加强；②Zn...

分类：科技学院 - 字数：8285

苯酚废水随意的排放会对人类的生存环境造成严重的污染，人类的生存和发展将受到很大的威胁。因此，有效的处理苯酚废水是环保方面一个重要的问题。现如今，已经有很多种苯酚处...

分类：科技学院 - 字数：7303

ZnO是属于宽带隙的半导体材料，室温条件下它的禁带宽度是3.37 eV，激子束缚能较高，达到了60 meV[2]，ZnO有以下性质：无臭、无毒，热稳定性比较好，强碱和强酸溶液中均能溶解的两性氧...

分类：科技学院 - 字数：7452

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