金属氧化物薄膜晶体管的特性分析研究.docx

摘要: 薄膜晶体管（TFT）是显示器中的重要器件，对显示器的显示性能有直接的关联，而薄膜晶体管的自身性能又与它的制作材料有很大的关系。金属氧化物材料一直是这几年的热门研究方向，特别是以铟镓锌氧化物（IGZO）为代表，因其较高的迁移率，工艺简单，容易进行大规模制造和较低的成本等特点，逐渐占领市场。研究人员在考察有机和复合型TFT的同时，也在发掘其他的高性能金属氧化物材料。本文将以铟掺锡氧化物（ITO）薄膜晶体管为研究对象，对该材料的TFT进行输出特性和重点转移特性的测试和汇总。并将与现在的市场热门材料比较，查看ITO TFT是否具有替代现有材料，推广到相关市场的可能性。

关键词：薄膜晶体管（TFT）；铟镓锌氧化物（IGZO）；铟掺锡氧化物（ITO）

目录

摘要

Abstract

第1章  绪论-2

1.1 当前市场现状：-2

1.2 金属氧化物材料主流：铟镓锌氧化物TFT当前发展情况-3

1.3 对铟掺锡氧化物材料的探索研究-4

第2章  器件特点及做法-4

2.1 器件特点-4

2.2 器件做法-5

第3章  电流特性-6

3.1  ITO TFT器件的转移、输出特性-6

3.1.1  阈值电压-6

3.1.2 迁移率-7

3.1.3 亚阈值摆幅-8

3.1.4 输出特性：-9

3.2  重复测量影响-9

3.3  泄漏电流-11

3.4  双栅薄膜晶体管的优化-13

第4章  总结-15

参考文献-15

致谢-16