a-IGZO TFT在光照及负偏压应力下的退化研究.doc

摘要:本文主要研究铟镓锌氧化物薄膜晶体管在光照、负栅极偏压应力及光照和负偏压应力共同作用下的退化情况。因而，我们做了一系列关于a-IGZO TFT的可靠性试验。包括单独光照、单独负偏压应力及在两种应力下的实验。其退化情况在不同应力下也是有差异的，在单独的蓝光的照射下，器件的转移特性曲线（Id-Vg曲线）向负方向偏移；在单独负偏压应力下，器件几乎不发生漂移，因此其没有退化；而在光照及负偏压应力同时作用时，器件的转移特性曲线发生大幅负向偏移，其亚阈值区域也发生严重退化。

  此外，我们还改变了一些实验的参数，如蓝光的光强，压应力的大小，受压应力影响的时间等来进一步证实实验结果的可靠性。结果发现光强越大，漂移越多。

关键词：铟镓锌氧化物，薄膜晶体管，光照，负偏压应力

目录

摘要

Abstract

第1章 绪论-3

1.1薄膜晶体管简介-4

1.2氧化物薄膜晶体管的特性-6

1.3研究背景-7

1.3.1a-IGZO TFT的参数特性-7

1.3.2a-IGZO TFT在光照及负偏压应力下的研究现状-8

1.4本章小结-9

第2章 实验器件及实验内容-10

2.1器件结构与生产工艺-10

2.2实验器件-10

2.3实验参数提取-13

2.4 本章小结-13

第3章 a-IGZO TFTZ在光照及负偏压应力下的退化研究-14

3.1实验内容-14

3.1.1器件在光照条件下的退化情况-14

3.1.2器件在负偏压应力下的退化情况-15

3.1.3器件在光照及负偏压应力下的退化情况-16

3.1.4负偏压应力下不同频率光照对器件影响-18

3.1.5不同光强下器件的退化情况-19

3.2本章小结-20

第4章 实验总结-21

参考文献-22

致谢-24